时间：2025/6/3 19:18:34
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SFF1050CT 是一款小外形扁平封装（SOP）的场效应晶体管（FET），通常用于功率控制、开关电路和信号调节等领域。该器件采用硅工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率管理应用。
它主要用作 N 沟道增强型 MOSFET，通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式，SFF1050CT 成为设计人员在构建高效能电子系统时的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：35mΩ
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
封装类型：SOP-8
静电放电耐受能力：2kV HBM
SFF1050CT 的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗，提高整体效率；具备较高的漏源击穿电压，从而增强了器件的鲁棒性；拥有快速的开关性能，可适应高频应用场景；并且采用了小型化 SOP 封装，有助于节省印刷电路板空间。
此外，它还支持较宽的工作温度范围，确保了在极端环境下的稳定运行。这些特点使 SFF1050CT 非常适合需要高效、可靠和紧凑解决方案的设计需求。
SFF1050CT 广泛应用于各种电子设备中，如直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路等。在通信领域，它可以作为功率放大器的驱动元件或射频开关的一部分；在家用电器方面，则可用于风扇调速、照明控制等功能模块。
同时，由于其良好的热特性和电气性能，也常被选用在汽车电子系统的电源管理部分，例如车身控制单元内的继电器替代方案或者车载充电器里的同步整流电路中。
SFP10N60C3, IRFZ44N
