SFDG35BA402 时间：2025/6/12 18:48:18 阅读：9

SFDG35BA402是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效能功率切换的场合。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够有效减少功率损耗并提升整体效率。
　　该型号属于N沟道增强型MOSFET，主要适用于中高电压场景下的功率控制与转换应用。

参数

最大漏源电压：400V
　　连续漏极电流：3.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值，@ Vgs=10V）
　　栅极电荷：30nC（典型值）
　　输入电容：1200pF
　　开关速度：快速开关
　　功耗：约8W（具体取决于工作条件）
　　封装形式：TO-220

特性

SFDG35BA402具有以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：其额定漏源电压为400V，能够在高压环境下稳定运行。
　　2. 低导通电阻：在栅极驱动电压为10V时，导通电阻仅为1.2Ω，这大大降低了导通状态下的功率损耗。
　　3. 快速开关性能：由于较低的栅极电荷，SFDG35BA402可以实现快速的开关动作，减少开关损耗。
　　4. 稳定性强：即使在高频和高温条件下，也能保持良好的性能稳定性。
　　5. 封装坚固：采用标准的TO-220封装，散热性能优良，适合多种安装方式。

应用

SFDG35BA402非常适合于需要高效功率管理的场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
　　2. 各类DC-DC转换器电路中的主控开关或同步整流开关。
　　3. 电机驱动应用中的功率级控制，例如步进电机、直流无刷电机等。
　　4. 负载开关和保护电路，在过流保护或短路保护方面提供支持。
　　5. 工业自动化设备中的功率模块组件。
　　6. 其他需要高性能功率切换的电子系统中。