SFC-115-T2-L-D-A-K-TR 是一款高性能表面贴装封装的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关和电源管理应用。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和卓越的热性能。
其设计能够承受较高的电流负载,并在高温环境下保持稳定的性能,适合用于工业设备、通信电源以及消费类电子产品中的高效能转换需求。
型号:SFC-115-T2-L-D-A-K-TR
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):115A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263-3(D2PAK)
这款 MOSFET 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高电流承载能力,满足大功率应用的需求。
3. 良好的热性能,能够在恶劣的工作条件下维持稳定运行。
4. 快速开关速度,减少开关损耗,特别适合高频应用场景。
5. 提供优异的静电防护(ESD)能力,确保可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
7. 支持多种保护功能集成,例如过流保护和短路保护。
SFC-115-T2-L-D-A-K-TR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 工业逆变器和变频器
5. 太阳能微逆变器
6. 电动车辆牵引逆变器
7. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制
8. 高效 LED 驱动电路
SFC-115-T2-H-D-A-K-TR, SFC-100-T2-L-D-A-K-TR, IRFZ44N