时间：2025/6/14 19:16:44
阅读：4
SFC-115-T1-F-D-K-TR 是一款高性能的表面贴装封装的场效应晶体管（FET），主要用于开关和放大应用。该型号采用了先进的制造工艺，确保了低导通电阻和高电流承载能力，同时具备出色的热性能和稳定性。其广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：32A
脉冲漏极电流：80A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：76nC
总电容：1290pF
工作结温范围：-55℃ to 150℃
封装形式：TO-263-3
SFC-115-T1-F-D-K-TR 的主要特点是低导通电阻，这使其在功率转换应用中具有较高的效率，并能减少发热。此外，该器件还拥有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于降低开关损耗。
它采用了DPAK封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。同时，该器件具备稳健的短路耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的运行表现。
另外，这款芯片符合RoHS标准，环保且适用于多种现代化电路设计。
SFC-115-T1-F-D-K-TR 常用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块以及负载开关等场景。由于其低导通电阻和高效能特性，也常见于电动汽车充电桩、不间断电源（UPS）系统、太阳能逆变器以及其他需要高效功率处理的场合。
此外，该器件因其可靠性和高电流承载能力，在工业自动化设备和通信基础设施中的应用也非常广泛。
SFC-115-T1-F-D-K-WR, SFC-115-T1-F-D-K-NR
