SFC-110-T1-F-D-A-K是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低能耗并提升系统效率。
这款功率MOSFET芯片的工作电压范围广,支持大电流输出,同时具备良好的热稳定性和抗电磁干扰能力,适用于各种严苛的工作环境。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ
总功耗(Ptot):75W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
SFC-110-T1-F-D-A-K的主要特性包括:
1. 低导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为5.5mΩ,有助于减少导通损耗。
2. 快速开关性能,栅极电荷(Qg)较小,可实现高效的高频操作。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管,适合同步整流应用。
5. 热稳定性出色,能够在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。
SFC-110-T1-F-D-A-K广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件,用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路,特别是大功率直流电机控制。
4. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电动车充电器及其他高功率电子设备。
SFC-110-T2-F-D-A-K
SFC-110-T1-G-D-A-K
IRFZ44N
FDP5580