SF72S006VBDR2500是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET,封装形式为TO-263(DPAK),具有出色的散热性能和可靠性。其设计旨在满足工业级应用对高效率、高稳定性和高耐用性的需求。
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:25A
导通电阻:1.8mΩ(典型值)
总功耗:140W
工作温度范围:-55℃至+175℃
栅极电荷:29nC(典型值)
反向恢复时间:12ns(典型值)
SF72S006VBDR2500的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 较低的栅极电荷和输出电容,优化了动态性能。
4. 强大的电流承载能力,支持高达25A的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
7. 良好的热稳定性,确保长时间运行的可靠性。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各类电机驱动电路,例如步进电机、无刷直流电机等。
3. DC-DC转换器,用于电压调节和能量转换。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 汽车电子系统中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP36NF06L
FDP15U20AB
AOI2S006