晶体管类型：NPN射频晶体管
　　最大工作频率：20 GHz
　　增益（S21）：17 dB @ 2 GHz
　　噪声系数：0.55 dB @ 2 GHz
　　输出功率：20 dBm @ 2 GHz
　　工作电压：3.3 V - 5 V
　　工作电流：100 mA
　　封装类型：SOT-89
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SF58S006VBB 是一款专为高性能射频前端应用而设计的低噪声放大器晶体管。其核心优势在于极低的噪声系数（在2 GHz时仅为0.55 dB），这使得它非常适合用于需要高灵敏度的接收器前端。此外，该器件在20 GHz的频率范围内仍能保持出色的增益表现（17 dB @ 2 GHz），能够有效支持高频段的无线通信应用。该晶体管的工作电压范围为3.3 V至5 V，支持宽电压输入，提高了其在不同应用场景下的灵活性。采用SOT-89封装，体积小巧，便于集成到紧凑型射频模块中。该器件还具有较高的线性度和稳定性，能够在较宽的温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，适用于工业级和消费级电子产品。
　　该晶体管的SiGe工艺不仅提升了高频性能，还降低了功耗，使其在电池供电设备中表现出色。此外，SF58S006VBB 具有良好的匹配特性，可以在不使用外部匹配电路的情况下直接用于射频前端设计，从而简化电路设计并减少PCB空间占用。

SF58S006VBB 广泛应用于各种射频通信系统中，尤其是在需要高增益、低噪声和高频性能的场景中。常见的应用包括Wi-Fi 6/5/4接入点和客户端设备、蜂窝通信基站（如4G LTE和5G NR）、物联网（IoT）设备、RFID读写器、无线传感器网络、无人机通信模块、卫星通信设备以及汽车远程信息处理系统。此外，由于其出色的线性度和稳定性，SF58S006VBB 也可用于测试测量设备和软件定义无线电（SDR）平台中的前端放大器设计。

BFU520, BFG521, BFR93A