类型：单向TVS二极管
　　反向关断电压（Vrwm）：10V
　　击穿电压（Vbr）：最小11.1V，典型值12.3V，最大13.6V
　　测试电流（Itest）：1mA
　　最大箝位电压（Vc）：17.8V @ Ipp = 15.7A
　　峰值脉冲电流（Ipp）：15.7A
　　峰值脉冲功率（Ppp）：2800W（8/20μs波形）
　　漏电流（Ir）：≤1μA
　　响应时间：≈1ps（理论响应速度，受寄生参数影响）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DO-214AC（SMA）
　　引脚数：2
　　极性：单向

SF10DG作为一款高性能的瞬态电压抑制二极管，具备出色的动态响应能力和强大的瞬态能量吸收特性。其核心优势在于能够在极短时间内对突发电压进行有效抑制，确保后级电路的安全。该器件采用单向结构设计，适用于直流电路中的正向供电路径保护。在正常工作状态下，反向漏电流极低，通常不超过1微安，这意味着它不会对系统造成额外的功耗负担，尤其适合用于低功耗或电池供电设备中。当遭遇瞬态过电压事件时，如静电放电（ESD）或电感负载切换引起的电压尖峰，SF10DG能够以接近光速的速度（理论上响应时间为皮秒级别）启动保护机制，迅速将电压限制在安全范围内。这种快速响应能力得益于其内部PN结的雪崩击穿机制，能够在纳秒量级内完成从高阻态到低阻态的转换，有效避免被保护器件遭受高压冲击。
　　该TVS二极管的最大箝位电压为17.8V，在承受高达15.7A的峰值脉冲电流时仍能保持稳定的性能表现，体现了其优异的能量耐受能力。其额定峰值脉冲功率达到2800W（基于8/20μs电流波形测试），足以应对大多数工业环境下的瞬态干扰。同时，SF10DG的击穿电压范围明确（最小11.1V，典型12.3V，最大13.6V），便于工程师在电路设计中进行精确匹配，避免误触发或保护不足的问题。封装方面，采用标准的DO-214AC（SMA）表面贴装形式，不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，提升了制造效率与一致性。此外，该器件具有良好的热稳定性，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适应严苛的环境条件。整体而言，SF10DG以其高可靠性、紧凑尺寸和卓越的电气性能，成为现代电子系统中不可或缺的保护元件之一。

SF10DG广泛应用于各类需要瞬态过电压防护的电子系统中。常见使用场景包括直流电源输入端口的浪涌保护，例如在适配器、充电器、开关电源模块中用于防止外部电涌侵入主控电路。在工业控制系统中，该器件常被部署于PLC输入输出接口、继电器驱动电路及传感器信号线上，以抵御因电磁干扰或电感负载切换产生的电压尖峰。通信设备如路由器、交换机、调制解调器等也常采用SF10DG来保护数据传输线路免受雷击感应或静电放电的影响。此外，在汽车电子领域，尽管其非专为车规级设计，但在某些辅助电源或低压控制电路中也可用于增强系统的电磁兼容性（EMC）。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备等在其USB接口、音频插孔、按键电路等易受人体静电影响的部位也会集成类似SF10DG的TVS器件进行ESD防护。另外，在医疗设备、测量仪器等对信号完整性要求较高的场合，SF10DG可用于保护模拟前端和数字接口，避免瞬态干扰导致数据错误或设备复位。由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度PCB布局，有利于小型化产品设计。总之，凡是有潜在电压瞬变风险的直流电路节点，都是SF10DG的适用范围。

P6KE10A