时间：2025/12/27 19:01:09
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SF-0402FP200-2是一款由Syfer Technology（现属于CTS Corporation）生产的表面贴装多层陶瓷片式电容器（MLCC），专为射频和微波应用设计。该器件采用0402小型化封装尺寸（1.0mm x 0.5mm），具有低寄生电感和高自谐振频率，适用于高频去耦、阻抗匹配、滤波以及RF信号路径中的耦合与旁路等关键电路。其型号中的'200'表示标称电容值为2.0pF，'FP'代表高频优化的介质材料（通常为C0G/NP0特性），而'2'可能指电压等级或特定产品变种。这款电容特别适合在GHz频段工作的无线通信系统中使用，例如Wi-Fi模块、蓝牙设备、蜂窝基站前端电路及毫米波雷达等。由于采用了先进的制造工艺，SF-0402FP200-2具备优异的电气稳定性，在宽温度范围内保持电容值几乎不变，并且拥有极低的介质损耗（DF），确保了在高频环境下最小的能量损失和最高的信号完整性。此外，该元件符合RoHS环保标准，并支持自动化贴片生产流程，广泛应用于高端消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
型号：SF-0402FP200-2
封装尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
电容值：2.0pF
容差：±0.1pF 或 ±0.25pF（依据具体规格）
额定电压：50V DC（典型值）
介质材料：C0G / NP0
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
温度系数：0 ±30ppm/°C
绝缘电阻：≥100GΩ
耗散因子（DF）：≤0.1% @ 1MHz
自谐振频率（SRF）：通常 >6GHz
直流电阻（DCR）：极低，典型 <10mΩ
最大纹波电流：取决于应用环境
SF-0402FP200-2采用专有的高频优化陶瓷介质材料（C0G/NP0），确保在整个工作温度范围内电容值高度稳定，不会因温度变化产生显著漂移。这种材料具有接近零的温度系数（0±30ppm/°C），意味着即使在极端高低温条件下，其电容值也能维持恒定，非常适合对精度要求极高的射频调谐电路和振荡器应用。此外，该电容器使用超薄层压结构和精确的内电极对准技术，有效降低了等效串联电感（ESL），从而大幅提升了自谐振频率（SRF），使其能够在6GHz以上的频段仍保持良好的电容行为，避免进入感性区导致性能劣化。
该器件的另一个显著特点是极低的耗散因子（DF ≤ 0.1%），这表示其内部能量损耗非常小，特别适用于高Q值滤波器和低噪声放大器（LNA）输入级等对信号纯净度要求严苛的应用场景。同时，其高绝缘电阻（≥100GΩ）保证了长期使用的漏电流极低，增强了电路的可靠性与稳定性。0402微型封装不仅节省PCB空间，还通过优化端电极设计减少边缘场效应，进一步提升高频响应一致性。此外，产品经过严格的筛选和测试，符合AEC-Q200等可靠性标准，适用于汽车电子和工业级环境。
SF-0402FP200-2支持高速自动贴装工艺，兼容标准回流焊流程，具有良好的可制造性和批次一致性。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，提供优良的焊接可靠性和抗热冲击能力。整体设计兼顾高性能与实用性，是现代高频混合信号电路中不可或缺的关键无源元件之一。
SF-0402FP200-2主要用于高频和射频电路设计中，尤其是在GHz频段工作的无线通信系统。它常被用于Wi-Fi 6/6E和5G射频前端模块中的阻抗匹配网络，作为耦合电容或谐振元件，确保信号在天线开关、功率放大器和低噪声放大器之间的高效传输。由于其出色的频率响应和稳定性，该电容也广泛应用于毫米波雷达传感器（如77GHz汽车雷达）的匹配电路中，帮助实现精准的距离与速度检测。
在高速数字系统中，SF-0402FP200-2可用于高频时钟线路的去耦和滤波，抑制高频噪声干扰，提升系统时序裕量。它同样适用于测试测量设备，如矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪内部的校准电路或参考通路，因其电容值高度可预测且不受环境温度影响，有助于维持仪器精度。此外，在光纤通信模块、卫星导航接收机（如GPS L1/L2频段）以及物联网（IoT）无线节点中，该器件也发挥着关键作用，保障射频信号链的完整性与灵敏度。
在医疗电子领域，一些高频治疗设备或无线监测装置也会采用此类高性能MLCC进行信号调理。而在航空航天与国防电子系统中，其高可靠性和宽温性能使其成为雷达、电子战系统和卫星通信载荷的理想选择。总体而言，凡是对高频性能、温度稳定性和长期可靠性有严格要求的应用场合，SF-0402FP200-2都是一个值得信赖的解决方案。
C0402C2R0B5GACTU
GRM0335C1H2R0CA01D
CC0402-JNPO-CX
