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SET23A03L02 发布时间 时间:2025/7/5 2:37:05 查看 阅读:3

SET23A03L02是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件适用于多种电源管理应用,例如负载开关、DC-DC转换器和电池保护电路。它采用了先进的制造工艺,具备出色的导通电阻特性以及快速开关能力,能够有效降低系统功耗并提高效率。
  SET23A03L02的封装形式通常为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合对空间有严格要求的设计场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(Rds(on)):75mΩ
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  总功耗:420mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

SET23A03L02具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 小尺寸SOT-23封装,便于在紧凑型设计中使用。
  4. 宽工作温度范围,能够在极端条件下保持稳定性能。
  5. 静电放电(ESD)防护能力较强,提升了整体可靠性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。

应用

SET23A03L02广泛应用于各种电子设备中,具体包括:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  2. 电池管理系统中的保护电路。
  3. DC-DC转换器和升压/降压模块。
  4. LED驱动电路。
  5. 通信设备中的信号切换。
  6. 消费类电子产品中的电源管理单元。

替代型号

SET23A03L03, SET23A03L04

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SET23A03L02参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.44427卷带(TR)
  • 系列SET23AXXL02
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道2
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)3.3V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值)4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)15V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)15A(8/20μs)
  • 功率 - 峰值脉冲-
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容300pF @ 1MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23