SESD3V3BDN是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的双向瞬态电压抑制器(TVS),其主要功能是保护电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和其他瞬态过压事件的损害。该器件采用了先进的工艺技术,具有极低的电容和快速响应时间,非常适合用于高速数据线和射频线路的保护。SESD3V3BDN的额定工作电压为3.3V,能够承受高达±15kV的接触放电和±15kV的空气放电。它采用DFN1006-2封装形式,体积小巧,适合高密度电路设计。
SESD3V3BDN适用于USB、HDMI、以太网等接口的ESD保护,广泛应用于消费类电子、通信设备以及工业自动化领域。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:8A
钳位电压:14.7V
寄生电容:0.5pF
响应时间:<1ns
最大反向漏电流:1μA
工作温度范围:-55℃至+150℃
SESD3V3BDN具有以下关键特性:
1. 双向保护功能,支持对称和非对称应用。
2. 极低的寄生电容(0.5pF),使得其非常适合高速信号线路的保护。
3. 快速响应时间(小于1ns),可以迅速抑制瞬态过压。
4. 高ESD耐受能力(±15kV接触放电和±15kV空气放电),确保在严苛环境下的可靠保护。
5. 符合IEC 61000-4-2国际标准要求。
6. 小型化封装(DFN1006-2),节省PCB空间。
7. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+150℃),适应多种恶劣环境。
SESD3V3BDN被广泛应用于需要高性能ESD保护的各种场景中,包括:
1. 消费类电子产品中的USB端口、音频/视频接口保护。
2. 移动通信设备中的天线端口、射频前端保护。
传感器接口、通信总线保护。
4. 网络设备中的以太网端口、光纤收发模块保护。
5. 医疗设备中的数据传输线路保护。
6. 汽车电子系统中的车载信息娱乐系统和CAN/LIN总线保护。
SESD3V3BHN, SESD3V3BHNW, SESD3V3BHNW-T, SESD3V3BHN-T