SESD12P是一种瞬态电压抑制器(TVS),设计用于保护电子电路免受过电压瞬变的影响,例如由雷击、电感负载切换或静电放电引起的瞬态。该器件具有快速响应时间、低漏电流和高浪涌能力的特性,能够有效吸收瞬时大功率脉冲,从而保护敏感元件不受损害。
SESD12P属于单向TVS二极管,其封装形式通常为DO-214AA(例如SMC封装)。这种器件广泛应用于通信设备、消费电子产品以及工业控制系统等领域。
工作电压:12V
峰值脉冲功率:600W(典型值,10/1000μs波形)
反向 standoff 电压:12V
最大反向漏电流:1μA(在25℃下,VR=12V时)
峰值脉冲电流:33.9A(典型值,10/1000μs波形)
钳位电压:20.8V(典型值, IPP=33.9A时)
结电容:48pF(典型值)
响应时间:1ps(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
SESD12P具备以下显著特性:
1. 快速响应时间:能够在皮秒级别内响应瞬态电压事件,及时限制电压尖峰,防止对下游电路造成破坏。
2. 高浪涌能力:支持高达600W的峰值脉冲功率,可承受较大的瞬时电流冲击。
3. 低泄漏电流:在正常工作条件下,反向漏电流非常小,有助于减少功耗并提高系统效率。
4. 稳定的电气性能:即使在极端温度范围内也能保持稳定的电气特性。
5. 小型化封装:采用DO-214AA封装形式,便于安装于紧凑型设计中。
SESD12P适用于多种需要过压保护的应用场景,包括但不限于:
1. 数据通信接口保护,如RS-232、RS-485、USB等。
2. 电源线和信号线的瞬态保护。
3. 消费类电子产品中的ESD防护。
4. 工业自动化设备中的关键节点保护。
5. 汽车电子系统的抗干扰保护。
6. 电信设备中的雷击防护措施。
SESD12CA, P6KE12A, SMAJ12A