型号：SER2013-402MLD
　　品牌：Susumu
　　封装尺寸：2013 (2.0mm x 1.3mm)
　　阻值：4.02kΩ
　　阻值偏差：±0.1%
　　额定功率：100mW (at 70°C)
　　最大工作电压：200V
　　耐压：500V
　　温度系数（TCR）：±5ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +155°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +155°C
　　终端电极：Ni/Sn镀层
　　产品系列：SER薄膜电阻系列

SER2013-402MLD采用先进的薄膜溅射工艺制造，其电阻层通过真空溅射技术将镍铬（NiCr）合金或其他高性能材料均匀沉积在高纯度陶瓷基板上，随后通过激光微调精确修整至目标阻值。这种制造方式使得电阻具有极低的温度系数（TCR可达±5ppm/°C），远优于常规厚膜电阻的±100ppm/°C甚至更差的表现。这意味着在环境温度变化较大的应用场景中，SER2013-402MLD能够保持极其稳定的阻值输出，避免因温度波动引起的系统误差，特别适用于高精度分压、电流检测和反馈控制电路。
　　该器件具备±0.1%的超高精度，满足精密测量和校准需求。其长期稳定性表现优异，在额定工作条件下年漂移量可控制在0.1%以内，显著降低系统重新校准频率，提升整体可靠性。同时，SER2013-402MLD具有良好的耐湿性能，即使在高湿度环境中也能维持稳定的电气特性，不易发生因水分渗透导致的阻值漂移或绝缘下降问题。这得益于其致密的薄膜结构和优化的端电极密封工艺。
　　在机械和热应力方面，该电阻表现出较强的抗冲击和抗振动能力，适用于严苛工业环境。其工作温度范围宽达-55°C至+155°C，支持极端温度下的稳定运行。此外，器件额定功率为100mW，在小尺寸封装下实现了较高的功率密度，配合良好的散热设计可在紧凑空间内安全运行。Ni/Sn端电极为其提供了良好的可焊性与焊接可靠性，支持波峰焊和回流焊等多种装配工艺，并兼容无铅焊接标准。整体而言，SER2013-402MLD是一款面向高端应用的精密电阻解决方案，兼顾微型化、高精度、高稳定性和环境适应性，是现代高可靠性电子系统中的理想选择。

SER2013-402MLD因其卓越的精度和稳定性，广泛应用于多个对电阻性能要求严苛的技术领域。在精密测量仪器中，如数字万用表、示波器前端信号调理电路和高精度ADC/DAC参考电压分压网络，该电阻用于构建稳定的参考分压链，确保采样精度不受温度或时间影响。在医疗电子设备中，例如病人监护仪、心电图机和血糖分析仪，SER2013-402MLD被用于传感器信号放大和滤波电路，保障微弱生理信号的准确采集与传输。
　　在工业自动化控制系统中，该电阻常用于PLC模块、温度变送器和电流环（4-20mA）发送器中的精密反馈电阻，确保控制信号的线性度和重复性。在通信基础设施中，如基站射频模块和光模块偏置电路，SER2013-402MLD用于偏置调节和增益控制，维持系统在不同工况下的性能一致性。
　　此外，在航空航天和军事电子系统中，由于其宽温工作能力和高可靠性，该器件可用于导航系统、雷达信号处理单元和飞行控制计算机中的关键模拟电路。在高端音频设备中，如专业级调音台和高保真功放，它也被用于音量控制反馈网络和均衡电路，以减少噪声和失真，提升音质表现。随着电动汽车和新能源技术的发展，SER2013-402MLD还逐渐应用于电池管理系统（BMS）中的电压采样电阻网络，协助实现精准的单体电池电压监控。总之，凡是对电阻稳定性、精度和寿命有高要求的应用场景，SER2013-402MLD均能提供可靠的性能支持。

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　　RT0805BRD074K02L
　　MR805HCTF4021