型号：SER2010-202MXB
　　制造商：Susumu
　　封装类型：0805（2010）
　　阻值：2.0kΩ
　　阻值公差：±0.1%
　　温度系数（TCR）：±5ppm/℃
　　额定功率：0.1W（+70℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +155℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
　　最大工作电压：200V
　　耐压：500Vrms（AC，1分钟）
　　基板材料：氧化铝陶瓷
　　电阻膜材料：镍铬（NiCr）薄膜
　　端电极结构：内电极Ag，外电极Sn镀层
　　符合标准：AEC-Q200（部分等级）、RoHS、REACH

SER2010-202MXB采用高精度薄膜电阻制造工艺，通过物理气相沉积（PVD）在高纯度氧化铝陶瓷基板上形成均匀的镍铬（NiCr）电阻膜层，从而实现极高的阻值精度和稳定性。其±0.1%的初始阻值公差确保了在精密分压、电流检测和反馈回路中的高度一致性，避免了因阻值偏差导致的系统误差。该器件的关键优势之一是其极低的温度系数（TCR），仅为±5ppm/℃，这意味着在环境温度变化较大的应用场景下，阻值漂移非常小，能够维持系统的长期稳定性和测量准确性。
　　此外，SER2010-202MXB具有优异的长期负载寿命稳定性，在额定功率下连续工作1000小时后，阻值变化典型值小于±0.15%，远优于普通厚膜电阻。其结构设计有效降低了寄生电感和电容，使其在高频信号路径中仍能保持接近理想电阻的特性，适用于高速放大器、ADC/DAC参考电路等对信号完整性要求严格的场合。该电阻还具备出色的耐湿性，在85℃/85%RH条件下偏置1000小时后阻值变化不超过±0.5%，显示出卓越的环境适应能力。
　　端电极采用多层金属化结构，包括银内电极和外部可焊性良好的锡镀层，不仅提高了焊接可靠性，还兼容无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造的需求。整体结构致密，机械强度高，抗热冲击能力强，可在快速温度循环中保持性能稳定。这些综合特性使SER2010-202MXB成为替代传统插装精密电阻的理想选择，尤其适用于自动化贴片生产线和高密度PCB布局设计。

SER2010-202MXB凭借其高精度、低温度系数和长期稳定性，广泛应用于对电气性能要求极为严苛的高端电子系统中。在精密仪器仪表领域，它常被用于高分辨率模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压分压网络，确保信号转换的线性度和精度不受阻值漂移影响。在医疗电子设备如心电图机、血压监测仪和成像系统中，该电阻用于关键信号调理电路，保障微弱生理信号的准确采集与处理。
　　在工业自动化控制系统中，SER2010-202MXB可用于传感器信号放大、桥式电路平衡和电流检测模块，尤其是在4-20mA电流环路中作为采样电阻，其低TCR和高稳定性可显著提升测量系统的重复性和可靠性。在通信基础设施中，该器件适用于射频前端模块、光模块偏置电路和电源管理单元中的精密反馈网络，有助于维持系统增益和频率响应的一致性。
　　此外，该电阻也常见于汽车电子中的高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载传感器接口和电池管理系统（BMS），尽管需确认具体是否通过AEC-Q200完全认证。在实验室级测试设备如数字万用表、源测量单元（SMU）和校准装置中，SER2010-202MXB因其可预测的电气行为和老化特性，常作为基准元件使用。其小型化0805封装也便于在空间受限的便携式设备中实现高密度布板，同时不牺牲性能表现。

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