时间：2025/5/22 1:24:47
阅读：17
SENC23T15V2B 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制程技术，优化了开关性能和导通损耗，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。
SENC23T15V2B 的封装形式为 TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能，同时其设计支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：23A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：90nC
总电容（Ciss）：1540pF
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SENC23T15V2B 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 内置防静电保护功能，提高了器件的鲁棒性。
4. 封装形式采用 TO-263，提供良好的热性能和电气连接可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种环境需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SENC23T15V2B 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 工业设备中的负载开关或保护电路。
5. 汽车电子中的各类功率控制模块。
6. 可再生能源系统中的功率转换与管理部分。
IRF2305,
FDP16N15,
STP23NF15,
IXYS: IXFK23N150
