SEMS31 时间：2025/11/12 21:02:30 阅读：13

SEMS31是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管阵列器件，广泛应用于需要高效能、低功耗和快速开关响应的电子电路中。该器件采用SOD-323封装，具有体积小、重量轻、可靠性高等特点，非常适合在空间受限的便携式电子产品中使用，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品。SEMS31内部集成了一个或多个肖特基二极管结构，具体配置通常为单个二极管，其设计目标是实现较低的正向导通压降和极短的反向恢复时间，从而显著提升电源转换效率并减少热损耗。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非传统的PN结，因此具备更快的开关速度和更低的噪声特性，适用于高频整流、反向极性保护、电压钳位、信号解调等多种功能场景。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。此外，SEMS31具备良好的热稳定性和长期工作可靠性，在规定的温度范围内能够保持稳定的电气性能，适合工业级应用环境。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 300mA
　　最大反向漏电流（IR）：10μA @ 30V
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/包：SOD-323
　　安装类型：表面贴装

特性

SEMS31的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，相较于传统硅PN结二极管，显著降低了正向导通压降。在典型工作条件下，当通过300mA电流时，其正向压降仅为500mV左右，这意味着功耗大幅降低，尤其在电池供电系统中可以有效延长续航时间。同时，极低的反向恢复时间（小于4纳秒）使其能够在高频开关环境中表现出色，避免因电荷存储效应引起的能量损失和电磁干扰问题，因此非常适合用于开关电源中的续流二极管、DC-DC转换器输出端的整流环节以及高频逆变电路。
　　该器件的小型化SOD-323封装不仅节省PCB布局空间，还具备优良的散热性能，能够在紧凑的设计中维持可靠运行。其额定工作结温高达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，适用于汽车电子、工业控制等对环境耐受性要求较高的领域。此外，SEMS31具备较强的瞬态过流承受能力，峰值浪涌电流可达1A，可在短时间内应对突发的电流冲击，提高了系统的鲁棒性。所有材料均符合RoHS指令要求，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试（视具体批次而定），确保产品在严苛条件下的长期稳定性。制造商提供完整的技术文档支持，包括详细的电气参数表、热阻模型、焊盘设计指南及SPICE仿真模型，便于工程师进行精确的电路建模与优化设计。

应用

SEMS31常用于多种电子系统中，承担电源管理、信号处理和电路保护等功能。典型应用场景包括便携式消费类电子产品的电源输入反接保护，防止用户误接电源极性导致主控芯片损坏；在USB接口、锂电池充电回路中作为防倒灌二极管使用，确保电流单向流动；在DC-DC升压或降压模块中作为续流二极管，协助电感完成能量释放过程，提高转换效率；也可用于高频信号整流、逻辑电平移位电路中的钳位元件，抑制电压尖峰以保护敏感IC。此外，在通信设备、传感器模块、LED驱动电源等领域也有广泛应用。由于其高可靠性与小型化特性，SEMS31特别适合应用于空间受限且对能效有较高要求的现代化电子设备中。