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SEMIX71GD12E4S 发布时间 时间:2025/8/23 13:13:01 查看 阅读:2

SEMIX71GD12E4S 是由赛米控(SEMIKRON)公司生产的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块。该模块结合了先进的IGBT技术和SiC(碳化硅)二极管,具有出色的电气性能和热稳定性,适用于高功率、高频应用场合。该模块采用半桥拓扑结构,包含两个IGBT开关单元,能够提供高效的能量转换。

参数

类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥
  额定集电极电流(IC):75A
  额定集射电压(VCES):1200V
  最大工作温度:150°C
  封装尺寸:130mm x 80mm
  短路耐受能力:6倍额定电流下5μs
  热阻(Rth):0.22 K/W
  栅极驱动电压范围:-15V ~ +20V
  最大工作频率:100kHz

特性

SEMIX71GD12E4S 模块采用了赛米控的先进封装技术,具有优异的热管理和电气性能。其内部集成了高性能IGBT芯片和SiC肖特基二极管,显著降低了开关损耗和导通压降,提高了系统效率。模块的封装结构采用双面散热设计,有效提升了散热性能,适用于高功率密度应用。
  该模块具有良好的短路保护能力,能够在极端工作条件下维持稳定运行。其优化的内部布局降低了寄生电感,提高了开关速度和系统的可靠性。此外,模块还具备较高的绝缘等级和抗电磁干扰能力,适合在恶劣工业环境中使用。
  在驱动方面,SEMIX71GD12E4S支持宽范围的栅极驱动电压,便于与不同类型的驱动电路匹配。模块还集成了温度传感器,可实时监测内部温度,帮助系统实现智能控制和过热保护功能。

应用

SEMIX71GD12E4S 模块广泛应用于新能源领域,如光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电设备和电机驱动系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业变频器、不间断电源(UPS)和电能质量调节设备的理想选择。此外,该模块也可用于轨道交通、智能电网和工业自动化等对功率密度和系统效率要求较高的应用场合。

替代型号

SKM75GB12T4ag, FS75R12W1T4_B11

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