类型：IGBT 模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：700A
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　芯片技术：采用SEMIPONT和FS（场截止）技术
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：低热阻设计以提高散热效率
　　封装材料：符合 RoHS 标准的环保材料

SEMIX703GB12M7P 是一款高性能 IGBT 模块，具有多项先进的技术特性和设计优势。首先，该模块采用了赛米控独有的 SEMIPONT 和 FS（Field Stop）技术，使得 IGBT 具有更低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体的能效。这种技术的应用使得模块在高频工作条件下仍然保持较低的温升，延长了模块的使用寿命。
　　其次，SEMIX703GB12M7P 采用了双列直插式封装（DIP），这种封装结构不仅提供了良好的散热性能，还提高了模块的机械稳定性和可靠性。模块内部的 IGBT 芯片和续流二极管采用并联设计，使得电流分布更加均匀，降低了热应力，提高了模块的抗过载能力。
　　该模块还具备良好的短路耐受能力和过载保护功能，能够在恶劣的工况下保持稳定运行。模块的封装材料符合 RoHS 标准，环保无污染，适用于多种工业环境。此外，SEMIX703GB12M7P 的引脚布局设计合理，便于安装和维护，减少了系统的复杂性和成本。
　　在电气特性方面，该模块具有高达 1200V 的集电极-发射极击穿电压和 700A 的额定集电极电流，能够满足高功率应用的需求。其工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，适应性强，适用于各种严苛的环境条件。

SEMIX703GB12M7P 广泛应用于需要高功率密度、高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见应用包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电能质量调节设备等。由于其优异的电气特性和热管理能力，该模块也常用于电动汽车充电设备、轨道交通系统以及智能电网等领域。

SEMIX702GB12M7S