SEMIX452GB176HDS是一款由赛米控(SEMIKRON)公司制造的高性能IGBT模块,广泛应用于电力电子领域,如变频器、电机驱动和可再生能源系统。该模块集成了多个IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反向并联的二极管,具有高效能、高可靠性和紧凑设计的特点。
类型:IGBT模块
额定电流:450A
额定电压:1700V
封装类型:双列直插式(Dual)
拓扑结构:半桥(Half Bridge)
导通压降:典型值为2.1V(在额定电流下)
最大工作温度:150°C
热阻(Rth):芯片到散热器的热阻典型值为0.055K/W
短路耐受能力:5μs@175°C
封装材料:采用高性能陶瓷基板和硅凝胶密封技术
符合标准:RoHS、UL、IEC标准
SEMIX452GB176HDS模块采用先进的IGBT4芯片技术,具有低导通损耗和开关损耗,从而提高了系统的整体效率。其先进的封装技术确保了卓越的热循环稳定性和机械强度,适用于恶劣的工作环境。模块内部集成有NTC热敏电阻,便于实时监测模块温度,防止过热损坏。此外,模块设计采用优化的引脚布局,减少寄生电感,从而降低了开关过程中的电压尖峰,提高系统的可靠性。该模块还具有良好的并联能力,可支持多模块并联使用,以满足更高功率的应用需求。
该模块广泛应用于工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、风力发电变流器、电动汽车充电设备以及太阳能逆变器等高功率电力电子系统中。其高可靠性和高效能特性使其成为现代电力电子设备中不可或缺的关键组件。
SEMIX452GB176HDSC、SEMIX452GB176HS、SEMIX453GB176HDS