SEMIX403GD128DS是一款由赛米控(SEMIKRON)制造的IGBT模块,专为高功率应用设计。它集成了多个IGBT和二极管芯片,采用双列直插式(Dual)封装,适用于电力电子变换器、工业电机驱动、新能源等领域。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):1200V
额定集电极电流(Ic):400A
工作温度范围:-40°C至+150°C
短路耐受能力:典型值为10μs
封装形式:双列直插式(Dual)
绝缘等级:增强绝缘
安装方式:螺钉固定
热阻(Rth):约0.25K/W
芯片技术:采用沟道型IGBT3芯片
SEMIX403GD128DS具有优异的电气和热性能。其高耐压和大电流能力使其适用于各种高功率密度应用。模块内部采用先进的封装技术,提高了绝缘性能和可靠性。此外,该模块具有较低的导通压降和开关损耗,有助于提高系统的整体效率。该模块还具备良好的短路保护能力,可在异常情况下提供额外的安全保障。其热阻较低,散热性能优异,确保在高负载条件下的稳定运行。模块的设计符合RoHS标准,支持环保应用。
该模块广泛应用于工业电机驱动、电力电子变换器、可再生能源系统(如风力发电和太阳能逆变器)、电能质量调节设备、电动汽车充电系统以及高功率UPS系统等。
SEMIX404GB128DA