SEMIX352GAL128DS是一款由SEMIKRON(赛米控)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛应用于电力电子系统中,如逆变器、电机驱动和可再生能源系统。该模块结合了IGBT和反向并联二极管,提供高效的功率开关性能。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):1200V
集电极电流(Ic):75A(连续)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式封装(DIP)
短路电流耐受能力:10μs @ 150°C
绝缘等级:符合UL认证
安装方式:通孔安装
SEMIX352GAL128DS具备多项高性能特性,包括高电流承载能力、低导通压降和快速开关特性,确保在高频率操作下的高效能。该模块采用先进的芯片封装技术,提高了热稳定性和机械强度,适用于严苛的工作环境。此外,该模块内部集成有反向并联二极管,简化了外部电路设计。模块具有良好的热导性能,能够有效散热,延长使用寿命。其封装设计也确保了良好的电气绝缘性能,适用于高电压隔离要求的应用场景。
该模块广泛应用于工业电机控制、变频器、UPS不间断电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和电能质量调节设备等高功率电子系统中。由于其高可靠性和优异的电气性能,它也常用于需要高效能功率转换的高端工业设备。
SKM75GB12T4AgBL, FS75R12KT4_B11