时间：2025/8/23 13:12:02
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SEMIX303GD12E4C 是由 SEMIKRON（赛米控）公司生产的一款高性能 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块。该模块集成了多个 IGBT 和反并联二极管，适用于高功率和高频率应用。该器件采用了先进的沟槽栅场截止 IGBT 技术，具有较低的开关损耗和导通损耗，从而提高了整体效率和可靠性。SEMIX303GD12E4C 通常用于工业电机驱动、可再生能源系统、电力传输与分配设备以及电动汽车充电系统等关键领域。
类型：IGBT 模块
结构：半桥模块
额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：300A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：模块式封装
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：±15V（推荐）
最大功耗：根据散热条件不同而变化
隔离电压：5000Vrms（典型）
SEMIX303GD12E4C 模块的核心优势在于其先进的 IGBT 技术，该技术显著降低了导通和开关损耗，使器件能够在高频下运行，同时保持较高的效率。模块内部集成了高性能的续流二极管，具有快速恢复特性，适用于高动态性能要求的应用。此外，该模块具备良好的热管理性能，其设计允许有效的散热，从而延长器件的使用寿命。该模块还具有良好的短路保护能力和过载能力，能够在极端工况下保持稳定运行。模块的封装结构设计考虑了电气绝缘和机械强度，确保在恶劣环境下的可靠运行。
该模块广泛应用于高功率密度系统，如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电设备。由于其出色的性能和可靠性，SEMIX303GD12E4C 也常用于铁路牵引系统和智能电网相关设备中。
SKM300GB128D, FS300R12KE4
