您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SEMIX302GB12VS

SEMIX302GB12VS 发布时间 时间:2025/8/23 12:45:55 查看 阅读:7

SEMIX302GB12VS 是由 SEMIKRON(赛米控)公司生产的一款 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于功率电子领域。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反向并联的二极管芯片,适用于需要高电流和高电压能力的电力电子系统。模块采用双列直插式封装(Dual-in-line Package, DIP)设计,具有良好的热性能和电气隔离能力,适用于电机驱动、逆变器、工业电源等应用。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):30A
  短路耐受电流:60A
  导通压降(VCE_sat @ IC=30A):约2.1V
  二极管正向压降(VF):约1.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:双列直插式(DIP)
  绝缘等级:符合IEC 60146标准
  爬电距离:≥8mm
  重量:约25g

特性

SEMIX302GB12VS 具有多种优异的电气和机械特性,适用于各种高要求的功率电子应用。首先,其额定电压为1200V,额定集电极电流为30A,能够承受较大的负载电流,适用于中等功率级别的逆变器、电机驱动和电源转换系统。该模块的导通压降约为2.1V,在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
  其次,该模块内部集成了一对 IGBT 和对应的反向并联快速恢复二极管,适用于需要高频率开关操作的应用场景。模块的封装采用双列直插式设计,具有良好的散热性能和结构稳定性,能够有效降低热阻,提高模块的长期可靠性。
  此外,SEMIX302GB12VS 的封装符合IEC 60146标准,具备良好的电气隔离能力,爬电距离大于8mm,能够在恶劣的工业环境中稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于各种宽温工作条件下的应用。模块的重量仅为25克,便于在紧凑型设计中使用,同时降低了系统的整体重量和体积。
  最后,该模块在制造过程中采用了高质量的材料和先进的封装技术,确保了其在高电压、高电流和高频开关条件下的稳定性和耐用性。这使得SEMIX302GB12VS 成为工业自动化、电动汽车充电设备、可再生能源系统以及各种电力电子变换器的理想选择。

应用

SEMIX302GB12VS 主要应用于中功率级别的电力电子系统,如交流电机驱动器、伺服驱动系统、工业变频器、不间断电源(UPS)、光伏逆变器以及电动汽车充电设备中的功率转换模块。由于其高集成度和优异的电气性能,该模块也适用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统和智能电网相关设备。

替代型号

SKM30GB12T4、FGA30N120D、FF30R12KE4、STGY30K120DF

SEMIX302GB12VS推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价