SEMIX302GB12E4S 是一款由赛米控(Semikron)生产的IGBT模块,适用于高性能电力电子系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,采用紧凑的封装设计,适用于工业电机驱动、可再生能源系统以及轨道交通等高要求的应用场景。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
额定集电极电流(Ic):300A
工作温度范围:-40°C 至 150°C
封装形式:双列直插式(DIP)
短路耐受能力:6倍额定电流,10μs
导通压降:约2.1V(典型值)
热阻:0.35 K/W(模块至散热器)
SEMIX302GB12E4S 拥有高功率密度和卓越的热管理性能,能够有效降低系统损耗并提高整体效率。其先进的芯片技术和优化的封装设计,使其在高频率开关应用中表现出色,具备较低的开关损耗和导通损耗。模块内部集成有温度传感器,可提供实时温度监测,增强系统的可靠性和安全性。此外,该模块还具有良好的短路保护能力,能够在极端工况下保护系统不受损坏。
在封装方面,SEMIX302GB12E4S 采用赛米控独有的SKiN技术,实现了更高的电流承载能力和更低的寄生电感,从而提升了模块的动态性能和长期稳定性。这种模块还支持并联使用,适用于更高功率等级的应用需求,确保系统设计的灵活性和可扩展性。
SEMIX302GB12E4S 主要用于高性能变频器、伺服驱动器、电动汽车充电桩、风力发电变流器、轨道交通牵引系统等对功率密度和可靠性要求较高的电力电子设备中。其广泛的应用领域使其成为工业自动化、绿色能源和电动汽车基础设施等现代电力电子系统中的核心组件。
SEMiX301GB12E4, SKM300GB12E4