SEMIX223GB12M7P 是一款由赛米控(SEMIKRON)生产的功率模块,属于IGBT模块系列,专为高效能和高可靠性应用设计。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极晶体管)和二极管芯片,采用双管(Dual)配置,适用于各种高功率电力电子设备。
类型:IGBT模块
配置:双管(Dual)
额定电压:1200V
额定电流:225A
封装形式:PQI(Press-Fit Quad Inline)
芯片技术:SiC(碳化硅)
热阻:0.38 K/W
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:6μs
SEMIX223GB12M7P 功率模块具有多项先进特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其采用了先进的SiC(碳化硅)芯片技术,提供更高的效率和更低的开关损耗,适用于高频开关应用。模块的双管(Dual)配置允许用户灵活设计拓扑结构,适用于逆变器、DC-DC转换器等多种应用。
此外,该模块的封装采用PQI(Press-Fit Quad Inline)技术,确保了高可靠性和良好的热管理性能。模块的热阻仅为0.38 K/W,有助于提高热效率并延长模块的使用寿命。同时,模块具备6μs的短路耐受能力,能够在极端条件下提供良好的保护性能,提高系统的稳定性和安全性。
模块的工作温度范围为-40°C至+150°C,适应各种复杂的工作环境,适用于工业自动化、新能源发电、电动汽车等对环境适应性要求较高的应用场景。
SEMIX223GB12M7P 功率模块广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统。常见的应用包括工业变频器、光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电器、电机驱动系统以及智能电网设备。其高可靠性和优异的热管理性能使其在新能源、智能能源管理和自动化控制等领域具有广泛应用前景。
SEMIX223GB12M7S, SKM220GB12T4, FS225R12W1T4_B11