SEMIX106GD12T4P 是一款由赛米克斯(SemiX)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率应用场合,例如工业电机驱动、变频器、可再生能源系统等。该模块采用了先进的芯片技术和封装设计,具有优异的导通和开关性能,同时具备良好的热管理和可靠性。其额定电压为1200V,额定电流为106A,适合需要高效率和高性能的功率转换系统。
类型:IGBT模块
额定电压:1200V
额定电流:106A
配置:T4(IGBT + 二极管)
封装形式:P(PQ)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
导通压降:约2.1V(典型值)
开关损耗:根据工作条件变化
短路耐受能力:有
隔离电压:2500V AC(典型)
SEMIX106GD12T4P IGBT模块采用了先进的芯片制造工艺,具有低导通压降和低开关损耗的特点,从而提高了系统的整体效率。该模块内置的二极管具有快速恢复特性,能够有效减少能量损耗并提高系统的稳定性。
在封装设计方面,SEMIX106GD12T4P 采用高绝缘等级的封装材料,确保在高电压应用中的安全性和可靠性。模块的封装形式适用于标准的散热器安装方式,便于散热并降低热阻。
此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供一定程度的保护,防止器件损坏。这种特性对于高功率应用来说至关重要,能够提高系统的鲁棒性和使用寿命。
该模块的工作温度范围较宽,能够在-40°C至+150°C之间稳定工作,适应各种严苛的环境条件。
SEMIX106GD12T4P 广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电焊机等高功率电子系统中。由于其优异的电气性能和良好的热管理能力,该模块非常适合用于需要高效能量转换和可靠运行的场合。此外,该模块也适用于电机控制、电力调节以及工业自动化设备等应用场景。
SEMIX106GD12T4P 的替代型号包括 Infineon 的 FF106R12KS4P、ON Semiconductor 的 NGTB106N12CL、STMicroelectronics 的 STGF106D12T4AG。