时间：2025/5/7 15:08:50
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SELC16F8V1BA是一款基于CMOS工艺制造的低功耗、高性能的SRAM存储芯片，广泛应用于需要高速数据存取和临时数据存储的场景。该芯片具有静态存储特性，无需刷新操作即可保持数据完整，适合工业控制、通信设备、消费电子等领域。
容量：16K x 8位
电源电压：1.7V至1.9V
工作温度范围：-40℃至+85℃
访问时间：最快可达7ns
封装形式：BGA(球栅阵列)
数据保留时间：无限（在供电条件下）
I/O数量：24
SELC16F8V1BA采用了先进的制程技术以降低功耗并提高性能。
其具备以下特点：
1. 超低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低。
2. 高速数据存取能力，能够满足实时应用的需求。
3. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境。
4. 简单的接口设计，易于与微控制器或数字信号处理器集成。
5. 高可靠性，经过严格测试确保长期稳定运行。
此外，该芯片支持部分写入功能，允许用户根据实际需求灵活使用存储空间。
SELC16F8V1BA适用于多种需要高速缓存和临时存储的应用场景，包括但不限于：
1. 工业自动化系统中的数据缓冲。
2. 网络通信设备中的数据包处理。
3. 图形显示系统中的帧缓冲。
4. 医疗设备中的数据暂存。
5. 消费类电子产品如打印机、扫描仪等的数据存储。
其高可靠性和宽温特性使其特别适合对环境适应性要求较高的场合。
CY62167EV30BLL, IS61LV25616ALL
