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SEH0511D9 发布时间 时间:2025/6/23 23:28:57 查看 阅读:21

SEH0511D9是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高速开关性能之间实现了良好的平衡。它通常用于需要高电流处理能力和低功耗的场景,如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等应用。

参数

型号:SEH0511D9
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):43A
  脉冲漏极电流(Ip):110A
  导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):85nC
  总功耗(Ptot):270W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

SEH0511D9具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
  3. 较大的漏极电流容量,确保在高负载条件下稳定运行。
  4. 强大的热性能,允许更高的功率密度。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  6. 耐雪崩能力较强,能够在异常条件下提供额外保护。
  7. 紧凑的封装形式,节省电路板空间,便于小型化设计。

应用

SEH0511D9广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 汽车电子系统,例如启动马达控制、电池管理系统(BMS)。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
  5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的电力转换设备。
  6. 高效LED照明驱动电路。
  7. 各种需要大电流切换的应用场景。

替代型号

SEH0511D9L, IRF540N, FDP5500

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