SEH0511D9是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高速开关性能之间实现了良好的平衡。它通常用于需要高电流处理能力和低功耗的场景,如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电源管理等应用。
型号:SEH0511D9
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):43A
脉冲漏极电流(Ip):110A
导通电阻(Rds(on)):1.1mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):85nC
总功耗(Ptot):270W
工作结温范围:-55℃至+175℃
SEH0511D9具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用场合。
3. 较大的漏极电流容量,确保在高负载条件下稳定运行。
4. 强大的热性能,允许更高的功率密度。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
6. 耐雪崩能力较强,能够在异常条件下提供额外保护。
7. 紧凑的封装形式,节省电路板空间,便于小型化设计。
SEH0511D9广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 汽车电子系统,例如启动马达控制、电池管理系统(BMS)。
4. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
5. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关的电力转换设备。
6. 高效LED照明驱动电路。
7. 各种需要大电流切换的应用场景。
SEH0511D9L, IRF540N, FDP5500