类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：10V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：典型值450mV @ 1A, 最大650mV @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大100μA @ 10V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：30A
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 2x2 (SMT)
　　引脚数：2
　　热阻结到外壳（RθJC）：约40°C/W
　　热阻结到空气（RθJA）：约150°C/W

SEF105FL的核心优势在于其低正向压降特性，这使其在大电流导通状态下能够显著减少能量损耗，提升电源转换效率。该器件的正向压降在1A电流下仅为450mV左右，最高不超过650mV，相较于传统硅二极管通常700mV以上的压降有明显改善。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间。同时，低VF意味着更少的热量产生，从而降低了对散热设计的需求，适用于紧凑型高集成度的电路板布局。
　　该器件采用肖特基结构，基于金属-半导体结原理工作，因此具备极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr非常短），有效避免了在高频开关电路中因反向恢复电荷引起的额外功耗和电磁干扰问题。这种快速响应能力使其非常适合应用于同步整流、DC-DC降压/升压变换器、负载开关和电源路径管理等场景。
　　SEF105FL采用PowerFLAT 2x2封装，尺寸仅为2mm x 2mm x 0.9mm，极大节省了PCB空间，支持高密度贴装工艺。该封装底部带有散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内层或底层，实现高效散热。其机械结构坚固，适用于自动化贴片生产线，并具备良好的焊接可靠性和长期稳定性。
　　在可靠性方面，SEF105FL经过严格的质量控制流程，满足AEC-Q101车规级部分要求，可用于汽车电子中的非关键电源模块。器件具有10V的反向耐压，适合低电压系统（如3.3V、5V）中的防倒灌保护。其最大平均整流电流为1A，峰值脉冲电流可达30A，表明其具备较强的瞬态电流承受能力，适合应对突发负载或启动冲击电流。
　　此外，该产品符合国际环保标准，不含铅（Pb-free）并符合RoHS指令，支持绿色制造。制造商ONSEMI提供完整的数据手册、应用指南和技术支持，便于工程师进行选型和设计优化。综合来看，SEF105FL是一款高性能、小体积、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，适用于现代高效能电子系统的电源管理需求。

SEF105FL广泛应用于各类需要高效能、小尺寸电源解决方案的电子设备中。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源切换与电池保护电路。在这些设备中，它常被用作防止电池反向充电或外部电源与电池之间的隔离二极管，确保电源路径的安全与稳定。
　　在DC-DC转换器中，特别是非同步整流拓扑中，SEF105FL作为续流二极管使用，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率，减少发热。它也适用于同步整流架构中的辅助保护，防止体二极管导通带来的损耗。
　　在USB供电接口、充电管理模块和LDO稳压器输出端，SEF105FL可用于防止电流倒流，保护上游电源不受下游负载异常的影响。此外，在热插拔电路、OR-ing二极管配置以及多电源选择电路中，该器件也能发挥出色的单向导通性能。
　　工业控制设备、网络通信模块和嵌入式系统主板中，SEF105FL用于电源轨隔离和瞬态抑制，保障系统在复杂供电环境下的稳定性。由于其良好的高温工作能力和小型封装，也被用于汽车信息娱乐系统、车载摄像头和传感器模块等对空间和可靠性要求较高的领域。
　　总之，SEF105FL凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为现代低电压、高效率电源设计中不可或缺的关键元件之一。

MBRS110LT3G
　　PMEM1010CAP,115
　　BAS40-04W