类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流反向电压（VR）：20V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 150mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 20V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

SEF102MH的核心优势在于其采用了肖特基势垒技术，使得该器件在正向导通时表现出极低的电压降，典型值仅为450mV，在150mA的工作电流下显著降低了功耗和发热，提升了系统能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的反向恢复速度，几乎可以忽略反向恢复时间（trr），从而有效减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的稳定性。
　　该器件内部集成两个独立的肖特基二极管，采用共阴极连接方式，这种结构非常适合用于双通道整流、输入极性保护或双路信号钳位等电路设计。例如，在USB接口或直流电源输入端使用SEF102MH可实现自动极性识别与保护，避免因接反而损坏后级电路。此外，共阴极结构也常用于构建双路OR-ing电路，实现多电源冗余供电系统的无缝切换。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（仅约3mm × 1.75mm），而且具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，适应现代SMT生产线的需求。该封装形式还减少了寄生电感和电容，有利于提升高频响应能力。SEF102MH的工作结温可达+125°C，表明其在高温环境下仍能保持可靠运行，适用于工业级应用场景。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），意味着其在汽车电子领域也有潜在应用价值。
　　总体而言，SEF102MH凭借其低VF、高速开关、小尺寸和高可靠性，成为众多中小功率电子系统中不可或缺的基础元件。它在节能、空间受限和高可靠性要求的设计中展现出明显优势，是替代传统PN结二极管的理想选择之一。

SEF102MH广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要高效能、小尺寸和快速响应的场合。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路，用于电池充放电路径的隔离与极性保护；在USB供电接口中作为防反接和过压钳位元件，确保外接电源不会损坏内部芯片；在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中用于射频信号检波或本地振荡器输出的整流处理。
　　此外，该器件常用于DC-DC转换器中的同步整流辅助电路，尽管主开关通常由MOSFET承担，但在轻载条件下，SEF102MH可参与能量回馈路径，提升整体转换效率。在传感器信号调理电路中，SEF102MH可用于构建精密整流器或峰值检测电路，利用其低阈值电压特性精确捕捉微弱交流信号。工业控制领域的PLC模块、远程I/O单元也常采用此类双二极管阵列进行信号隔离与ESD防护。
　　在汽车电子方面，SEF102MH可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）或ADAS传感器供电单元中，提供可靠的电源路径管理功能。由于其具备较高的温度耐受能力和稳定性，即使在发动机舱附近或高温环境下也能正常工作。另外，在LED照明驱动电路中，它可以作为续流二极管防止反向电压冲击，延长光源寿命。
　　总之，SEF102MH凭借其优异的电气特性和紧凑封装，已成为现代电子设计中实现电源保护、信号整流与高频切换的关键组件之一。

MBRS130T1G
　　RB751S40
　　BAT54C
　　SD103AWT