类型：射频开关
　　工作频率：0.01 GHz - 3 GHz
　　插入损耗：典型值 0.35 dB（最大值 0.5 dB）
　　隔离度：典型值 40 dB（频率范围内）
　　切换时间：上升/下降时间小于 10 ns
　　VSWR（输入/输出）：典型值 1.3:1
　　工作电压：5V
　　控制信号：TTL/CMOS 兼容
　　封装类型：18 引脚 TSSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SEDS-9981#18 是一款基于 GaAs 技术的单刀双掷（SPDT）射频开关，具备出色的电气性能和稳定性。其工作频率范围覆盖 10 MHz 到 3 GHz，适用于多种无线通信标准和测试设备应用。该芯片的插入损耗非常低，典型值仅为 0.35 dB，在高频段仍能保持优异的信号完整性。同时，其隔离度高达 40 dB，可有效防止不同信号路径之间的干扰，提高系统的整体性能。
　　该器件采用 5V 单电源供电，并支持 TTL/CMOS 兼容的控制信号输入，简化了与数字控制电路的接口设计。其切换时间极短，上升和下降时间均小于 10 ns，满足高速切换需求。此外，该芯片具有良好的电压驻波比（VSWR），输入和输出端口的典型值为 1.3:1，确保了信号传输的稳定性。
　　SEDS-9981#18 采用 18 引脚 TSSOP 封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装形式还提供了良好的热管理和机械稳定性，确保器件在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内可靠运行。这款射频开关适用于基站、无线接入点、测试测量设备以及军事和航空航天等高端应用领域。

SEDS-9981#18 主要用于需要高性能射频信号切换的场合，如蜂窝通信基站、Wi-Fi 接入点、射频测试仪器、频谱分析仪、无线传感器网络以及雷达和电子战系统等。此外，该器件也可用于多路复用器、天线切换器和射频前端模块中，以实现灵活的信号路由和系统优化。

HMC649A, PE4259, RF1217, ADG904