类型：PIN 二极管
　　频率范围：DC ~ 4 GHz
　　最大反向电压：100 V
　　最大正向电流：100 mA
　　插入损耗（典型值）：0.2 dB @ 1 GHz
　　隔离度（典型值）：25 dB @ 1 GHz
　　封装形式：表面贴装（SOT-23）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

SEDS-9971#18 的核心特性在于其作为射频开关元件的高性能表现。其 PIN 结构由一个本征（Intrinsic）层夹在 P 型和 N 型半导体之间组成，使得该二极管在正向偏置时呈现低电阻状态，而在反向偏置时呈现高阻态，从而实现对射频信号的高效切换。该器件的工作频率范围宽广，覆盖从直流至 4 GHz，适用于多种无线通信标准，如 GSM、CDMA、WCDMA、Wi-Fi 和 LTE 等。
　　此外，SEDS-9971#18 在 1 GHz 频率下的插入损耗仅为 0.2 dB，确保信号在通过时的损耗极小，保证了系统的整体性能。其隔离度达到 25 dB，意味着在关闭状态下，输入与输出之间的信号泄漏极低，有助于减少干扰和信号串扰。该器件的封装形式为 SOT-23，是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性和机械可靠性。
　　该二极管的反向耐压可达 100 V，正向电流最大为 100 mA，适用于多种偏置电路设计，同时具备良好的过载能力。工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行。

SEDS-9971#18 主要用于各类射频和微波系统中作为开关元件。典型应用包括蜂窝基站、无线基础设施、射频测试设备、天线调谐模块、射频功率放大器的增益控制以及自动测试设备（ATE）等。其低插入损耗和高隔离度特性使其特别适合用于多频段通信设备中的信号路径切换，例如在多输入多输出（MIMO）天线系统中实现天线路径的动态选择。
　　此外，该器件也常用于射频衰减器和滤波器组的控制电路中，通过控制二极管的导通与截止状态，实现对射频信号强度的调节或频段选择。由于其封装尺寸小巧，也适用于便携式通信设备和射频模块的集成设计。

HMC-C019, HSMS-286B, BAR-64-03W, SMP1305