晶体管类型：双NPN晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益带宽（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110（最小值）至800（最大值）
　　封装类型：8引脚SOP（表面贴装）

SEDS-0067#826的主要特性之一是其集成的双NPN晶体管设计，能够在单一封装中提供两个独立的晶体管，从而减少了电路板空间和元件数量。这种集成特性使得该器件非常适合用于需要紧凑布局的电路设计，特别是在消费类电子和工业控制设备中。
　　此外，该晶体管阵列具有较高的频率响应，增益带宽积达到100 MHz，适合用于中高频放大器和高速开关应用。每个晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，能够在不同的工作条件下提供稳定的放大性能。这使得SEDS-0067#826在模拟和数字电路中都具有广泛的应用潜力。
　　另一个显著的特性是其低饱和电压（Vce_sat）特性，有助于减少功率损耗并提高能效。这对于需要低功耗运行的便携式电子设备尤为重要。此外，该器件采用表面贴装封装，便于自动化装配和高密度电路板布局，提高了生产效率和可靠性。
　　SEDS-0067#826还具有良好的热稳定性和耐久性，在工业级温度范围内（-40°C至+125°C）能够稳定运行，适用于各种苛刻的工作环境。这些特性共同确保了该器件在多种应用中能够提供高性能和长期稳定性。

SEDS-0067#826广泛应用于多个领域，包括消费类电子产品、工业控制、通信设备和汽车电子系统。在消费类电子产品中，它可用于音频放大器、逻辑电平转换和LED驱动电路，提供紧凑且高效的解决方案。
　　在工业控制领域，SEDS-0067#826可用于传感器接口电路、继电器驱动器和电源管理模块。其高频率响应和低饱和电压特性使其成为需要高速切换和能效优化的应用的理想选择。
　　在通信设备中，该器件常用于射频（RF）前端模块、数据转换器和信号调节电路。由于其良好的高频性能，可以在中高频放大和开关电路中实现稳定的工作表现。
　　此外，在汽车电子系统中，SEDS-0067#826可应用于车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘显示驱动电路。其良好的热稳定性和耐久性确保在各种工作条件下都能提供可靠的性能。

建议替代型号包括BC847系列、2N3904和MMBT3904。