时间:2025/11/7 16:25:11
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SED9420CAC是一款由Silan(华虹半导体)生产的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于中低压功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等多种电路设计场景。SED9420CAC的封装形式为SOP-8,这种小型化表面贴装封装不仅节省PCB空间,还具备较好的散热性能,适合在紧凑型电子产品中使用。作为一款性价比高的国产MOSFET,SED9420CAC广泛应用于消费类电子、工业控制和通信设备中,能够替代部分进口型号,在保证性能的同时降低系统成本。其设计符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品的绿色制造要求。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
连续漏极电流(Id):18A(@Tc=25°C)
脉冲漏极电流(Idm):72A
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(@Vgs=10V);8.5mΩ(@Vgs=4.5V)
阈值电压(Vth):1.0V ~ 2.3V
输入电容(Ciss):1250pF(@Vds=15V)
反向恢复时间(trr):典型值30ns
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装:SOP-8
SED9420CAC采用高性能沟槽栅极工艺,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减小了在大电流条件下的功率损耗,提高了系统的整体效率。其典型Rds(on)仅为6.5mΩ(在Vgs=10V时),即使在低栅压4.5V下也能保持8.5mΩ的低阻状态,确保在电池供电或低压控制信号下仍能稳定工作。这种优异的导通特性使其非常适合用于高效率同步整流、电源开关和电机驱动等对功耗敏感的应用。
该器件具备优良的开关特性,输入电容Ciss约为1250pF,配合快速的开关响应时间,能够在高频PWM控制中实现迅速的导通与关断,减少开关过程中的能量损耗。同时,较短的反向恢复时间(trr约30ns)降低了体二极管在续流过程中产生的尖峰电压和电磁干扰,提升了系统在感性负载下的运行可靠性。
SED9420CAC的SOP-8封装集成了良好的散热能力,通过底部裸露焊盘可有效将芯片热量传导至PCB,增强了长时间高负载工作的稳定性。此外,该封装兼容自动贴片工艺,便于大规模生产组装,提高制造效率。器件的工作结温可达+150°C,并支持-55°C至+150°C的宽温域工作,适应各种严苛环境条件。
在安全性和可靠性方面,SED9420CAC具备过温保护能力,当芯片温度过高时会自动限制电流以防止损坏。其栅极耐压达±20V,具备一定的抗静电和瞬态过压能力,配合外部适当驱动电路可进一步提升系统鲁棒性。整体来看,这款MOSFET在性能、成本和可用性之间实现了良好平衡,是中小功率电力电子设计中的理想选择之一。
SED9420CAC广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式设备的电池管理电路,如移动电源、充电宝中的充放电控制开关;在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关管或同步整流管使用,提升转换效率并减少发热;还可用于LED驱动电源、USB PD快充模块、智能家电的电机驱动电路以及工业控制板上的继电器或电磁阀驱动单元。
由于其低导通电阻和高电流承载能力,该器件特别适合用于大电流负载开关,例如在主板电源管理中控制不同电压域的上电时序。在通信设备中,SED9420CAC可用于PoE(以太网供电)终端的前端开关,实现远程供电的安全通断控制。
此外,该MOSFET也适用于电动工具、无人机电调、智能家居控制器等对体积和效率有较高要求的产品中。其SOP-8封装的小尺寸特性使得它能在空间受限的设计中替代TO-252或DPAK等更大封装的MOSFET,有助于实现产品小型化和轻量化目标。
SI9420ADY-T1-E3
IRLML6344TRPBF
AO4403
AP9420ACN