时间：2025/5/30 10:33:51
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SE5VRT236是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种电源管理场景。其主要用途包括DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等。
型号：SE5VRT236
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：2.3mΩ
栅极电荷(Qg)：97nC
工作温度范围：-55°C to +175°C
SE5VRT236具备卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻特性可显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。同时，该器件支持高频操作，能够满足现代电子设备对快速开关的需求。此外，SE5VRT236采用了坚固的封装设计，增强了散热性能，使其在高功率应用场景中表现优异。
该MOSFET还具有出色的短路耐受能力和抗电磁干扰性能，确保了系统在复杂环境下的稳定运行。这些特点使得SE5VRT236成为许多高端电源管理和电机控制应用的理想选择。
SE5VRT236广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件；
2. DC-DC转换器的核心功率器件；
3. 负载开关用于动态电源管理；
4. 电机驱动电路中的功率输出级；
5. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率调节单元。
凭借其优秀的性能参数和可靠性，SE5VRT236可以有效提升上述应用的效率和稳定性。
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L
