频率范围：24 GHz至40 GHz
　　工作电压：5V
　　输出功率：+20 dBm（典型值）
　　增益：25 dB（典型值）
　　噪声系数：3.5 dB（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：1.8:1
　　输出驻波比（VSWR）：2.0:1
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装形式：16引脚QFN

SE5012T-EK1具有多个显著的性能特点，使其成为5G毫米波通信系统和其他高频应用的理想选择。首先，该模块采用GaAs工艺制造，能够在高频段保持良好的线性度和高输出功率，确保信号传输的稳定性和可靠性。其次，SE5012T-EK1的高增益特性（25 dB）使得在低输入信号条件下也能获得足够的输出功率，从而减少对前级电路的要求，简化系统设计。
　　此外，SE5012T-EK1具备良好的噪声性能，噪声系数仅为3.5 dB，有助于提高接收链路的信噪比，提升整体系统性能。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保其在各种恶劣环境条件下都能稳定运行，适用于工业级应用。模块采用紧凑的16引脚QFN封装，便于集成到高密度PCB设计中，适用于小型化设备的需求。
　　在射频接口方面，SE5012T-EK1的输入和输出端口具有良好的匹配特性，输入VSWR为1.8:1，输出VSWR为2.0:1，减少了信号反射，提升了系统的整体效率。同时，模块内部集成了射频匹配网络，简化了外部电路的设计要求，降低了整体系统复杂度和成本。因此，SE5012T-EK1不仅适用于5G基站、毫米波雷达和Wi-Fi 6E接入点等高性能应用，也可用于测试设备和通信基础设施。

SE5012T-EK1广泛应用于5G毫米波通信系统、Wi-Fi 6E接入设备、毫米波雷达、射频测试设备和宽带无线接入系统。此外，它还可用于工业自动化、自动驾驶中的雷达系统以及高精度测量设备等高频通信领域。

HMC1119LP5E, QPA2905, RFPA2912