SE4150L-TR 时间：2025/8/21 21:00:18 阅读：9

SE4150L-TR是一款由SEMI-TEK（赛米-特克）公司制造的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率开关电路中。该器件设计用于高效、高可靠性的电源管理应用，包括DC-DC转换器、电源开关、电机控制以及负载开关等。SE4150L-TR采用先进的高压MOSFET制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热性能，适用于中高功率应用场合。该器件采用SOT-223封装形式，具有良好的散热能力和紧凑的尺寸，适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：1.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

SE4150L-TR是一款高性能的高压N沟道MOSFET，具有出色的电气性能和稳定性。其主要特性之一是高击穿电压能力，漏源电压可达500V，使其适用于高电压输入的电源转换系统，如AC-DC电源、LED驱动器和高压电机控制等应用。该器件的导通电阻为2.5Ω，虽然相对较高，但在同类高压MOSFET中仍具备良好的导通损耗表现，有助于提升系统的整体效率。此外，SE4150L-TR采用SOT-223封装，具备良好的热管理性能，有助于在高功率工作条件下保持稳定运行。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V~4V，使其适用于多种驱动电路，包括低电压微控制器和专用驱动IC。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提高了在恶劣工作环境下的可靠性。SE4150L-TR还具备较高的dv/dt耐受能力，有助于减少开关过程中的噪声和干扰，提高系统稳定性。这些特性使其成为适用于多种高压电源管理和功率控制应用的理想选择。

应用

SE4150L-TR适用于多种高压电源管理和功率控制应用。它常用于AC-DC电源转换器、高压LED驱动电路、电机控制模块以及智能电表和工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高压耐受能力和良好的导通特性，该器件也适用于高压负载开关、电池管理系统和高压DC-DC转换器。此外，SE4150L-TR还可用于家电控制电路、智能照明系统以及新能源设备中的功率管理部分。