时间：2025/6/11 15:54:18
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SE3D15B24MA是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263封装形式。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。SE3D15B24MA具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，同时支持快速开关操作，使其在高效率功率转换电路中表现出色。
这款MOSFET还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
型号：SE3D15B24MA
类型：N沟道MOSFET
VDS（漏源电压）：200V
RDS(on)（导通电阻）：0.24Ω
ID（持续漏极电流）：15A
Qg（栅极电荷）：30nC
fT（截止频率）：1.7MHz
封装形式：TO-263
工作温度范围：-55℃至+150℃
SE3D15B24MA具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（VDS），能够承受高达200V的工作电压，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（RDS(on)），减少导通损耗，提高整体系统效率。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷（Qg），使得开关损耗更低，适合高频应用。
4. 强大的电流承载能力（ID），可支持高达15A的持续电流输出，满足大功率需求。
5. 热稳定性好，能在较宽的温度范围内保持可靠运行，适用于恶劣环境条件下的应用。
6. 封装紧凑，易于安装与散热设计，适应现代电子设备对小型化的要求。
SE3D15B24MA主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关及保护电路中的切换元件。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换与控制单元。
IRFZ44N
FQP18N20
STP16NF06L
