时间：2025/5/20 16:15:15
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SE26T35U15D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下提供出色的性能。
SE26T35U15D 的设计旨在满足现代电力电子设备对高效能和小型化的需求。其封装形式通常为行业标准类型，便于集成到各种电路板设计中。
型号：SE26T35U15D
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：35V
Rds(on)（导通电阻）：15mΩ
Id（持续漏极电流）：26A
栅极电荷：18nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220 或 DPAK
SE26T35U15D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高击穿电压（Vds），确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关速度，降低开关损耗并适合高频应用。
4. 高温适应性，允许在极端温度范围内使用。
5. 小型化封装设计，方便安装在紧凑型电路板上。
6. 出色的热性能，有助于散热管理。
这些特点使 SE26T35U15D 成为需要高效功率转换和可靠性的应用的理想选择。
SE26T35U15D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于主功率级或辅助功率级的开关元件。
2. DC-DC 转换器：在降压、升压或反激式拓扑中作为功率开关。
3. 电机驱动：控制直流电机或无刷直流电机的速度和方向。
4. 负载开关：实现快速开启/关闭功能以节省功耗。
5. 电池保护电路：防止过流、短路等异常情况。
6. 工业自动化：为各种工业设备提供可靠的功率处理能力。
其卓越的性能使其成为众多电力电子系统的核心组件。
IRFZ44N, FDP5500, BUK9N06-40E
