类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：26A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）等

SE26E 具备低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4V至20V之间工作，适用于多种控制电路设计。SE26E 还具备较强的抗雪崩击穿能力，增强了其在高能量开关环境下的可靠性。
　　其封装形式（如TO-220或D2PAK）便于散热设计，适用于需要良好热管理的应用场合。此外，SE26E 的快速开关特性使其适用于高频开关电源、同步整流和电机控制等场景。
　　该器件的高耐用性和稳定性能使其成为工业控制、电源供应器、电动车系统、太阳能逆变器等领域中的理想选择。

SE26E 主要应用于需要高效率功率控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动电路、电池管理系统、LED照明驱动器、工业自动化设备以及电动工具和电动车控制器等。
　　此外，SE26E 也广泛用于需要高可靠性和高效率的汽车电子系统中，例如车载充电器、电瓶管理系统和车载逆变器等。由于其良好的热性能和导通特性，该器件在电源转换系统中能够有效减少能量损耗，提升整体系统效率。
　　在工业控制领域，SE26E 作为功率开关元件，可用于控制加热元件、电磁阀、继电器驱动以及伺服电机控制等。在消费类电子产品中，该器件可用于高效能电源适配器、UPS不间断电源系统和智能家电的功率调节模块。

IRFZ44N, FDP6030L, STP55NF06L, FQP26N60