时间：2025/5/29 21:35:39
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SE24T2T02GZ 是一款高性能的电子存储芯片，主要用于需要大容量和快速数据传输的应用场景。该芯片采用了先进的制程工艺，具备低功耗、高可靠性和长寿命的特点。它广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及嵌入式系统中。
类型：NAND Flash
容量：256GB
接口：PCIe Gen3 x4
工作电压：1.8V/3.3V
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保存时间：超过10年
写入寿命：3000次擦写周期
SE24T2T02GZ 提供了卓越的数据存储性能，采用3D TLC NAND技术，极大地提升了存储密度和速度。
其支持的PCIe Gen3接口能够提供高达4GB/s的连续读取速度和高达2GB/s的连续写入速度。
同时，该芯片内置ECC（错误检查与纠正）引擎，有效保证了数据的完整性。
此外，SE24T2T02GZ 还具有强大的电源管理功能，能够在低功耗模式下维持稳定的运行状态。
其宽广的工作温度范围使得该芯片在极端环境下依然可以正常工作，进一步增强了产品的可靠性。
SE24T2T02GZ 主要用于需要高效数据存储和快速访问的场景，包括固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、内存卡、嵌入式存储模块等。
它也广泛应用于各种工业控制设备、医疗设备、车载信息系统以及物联网终端设备中。
由于其大容量和高可靠性，SE24T2T02GZ 还非常适合用作数据中心和云计算环境中的存储解决方案。
SE24T2T01GZ, SE24T2T04GZ
