时间：2025/6/26 11:01:00
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SE18VFBN102是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频率下实现高效能量转换。此外，SE18VFBN102采用了小型化的封装设计，使其非常适合空间受限的应用场合。
型号：SE18VFBN102
类型：增强型功率场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：100V
最大连续漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V
输入电容（Ciss）：1670pF
输出电容（Coss）：49pF
反向传输电容（Crss）：115pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：LFPAK56D
SE18VFBN102具备以下显著特性：
1. 高效性能：由于其采用先进的氮化镓技术，导通电阻非常低，可有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力：相较于传统硅基MOSFET，SE18VFBN102的开关速度更快，能够支持更高的工作频率，从而减小无源元件体积。
3. 热稳定性强：其工作温度范围宽广，适用于各种恶劣环境下的应用。
4. 小型化设计：采用紧凑型封装，节省PCB空间，便于系统集成。
5. 可靠性高：通过多项严格测试，确保长期使用的稳定性和可靠性。
SE18VFBN102主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于提升电源转换效率，尤其是在高频段表现优异。
2. DC-DC转换器：在电动汽车、工业设备及消费电子中作为核心功率转换器件。
3. 电机驱动：为高性能电机控制系统提供快速响应和精确控制。
4. 充电器与适配器：帮助设计更小巧、高效的充电解决方案。
5. 能量回收系统：如太阳能逆变器中的功率调节模块。
SE16VFBN102
SE20VFBN102
