时间：2025/5/21 13:54:55
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SE12VFD522是一种高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，从而提升了系统的整体效率。
SE12VFD522设计用于在高频开关应用中提供卓越的性能表现，并支持紧凑型封装以满足现代电子设备对小型化的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：42A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：13W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220FP
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关速度，适合高频电路设计。
4. 内置ESD保护功能，提高器件的可靠性和抗干扰能力。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局和空间优化。
6. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
7. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 负载开关和保护电路。
4. DC/DC转换器和逆变器。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的高可靠性开关组件。
IRFZ44N
FDP5512
AON7704
