时间：2025/6/14 20:05:31
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SE12T2V12GC是一款高效能、高可靠性的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时，也提供了优秀的开关性能和热稳定性。其主要特点是能够在高频条件下保持较低的功耗，并且具备良好的抗浪涌能力，适用于工业级和消费级电子设备。
型号：SE12T2V12GC
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷：20nC（最大值）
工作温度范围：-55℃至150℃
SE12T2V12GC具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，支持高达12A的连续漏极电流。
4. 优化的热设计，使其能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 内置ESD保护功能，提升了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
7. 封装形式紧凑，便于在有限空间内进行布局设计。
SE12T2V12GC适用于多种场景下的电子设备，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各类负载切换开关的应用。
5. 充电器及适配器中的功率调节模块。
6. 工业自动化控制系统的电源管理部分。
IRFZ44N
FDP5802
AO3400
