时间：2025/5/23 5:42:33
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SE10F20B36A是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，适用于高效率开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，广泛应用于各种工业和消费类电子设备中。
其主要特点在于能够提供高效的功率转换，同时保持较低的功耗和较高的可靠性。SE10F20B36A通常被用作同步整流器、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效开关操作的场合。
型号：SE10F20B36A
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：36V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：20A
导通电阻Rds(on)：1.5mΩ（在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：40nC
输入电容Ciss：1250pF
反向恢复时间trr：75ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SE10F20B36A具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 较高的雪崩能力和鲁棒性，可有效应对异常工作条件下的电压尖峰。
4. 小型封装设计，节省PCB空间。
5. 支持宽范围的工作温度，适应恶劣环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
这些特性使得SE10F20B36A成为众多电源管理应用中的理想选择。
SE10F20B36A适用于多种应用领域：
1. 同步整流电路
2. DC-DC转换器
3. 开关电源(SMPS)
4. 电机驱动
5. 负载开关
6. 电池管理系统(BMS)
7. 工业自动化设备
8. 消费类电子产品中的功率控制
其优异的性能和可靠性使其能够在各类复杂环境中稳定运行，满足不同应用场景的需求。
SE10F20B36C, IRFZ44N, FDP5500
