时间：2025/7/9 18:56:56
阅读：17
SE03N2C01HZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等场景中，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和高密度设计。
SE03N2C01HZ 的设计使其能够承受较高的电压，并在高频工作条件下保持高效的性能表现，同时它也具备良好的热稳定性和可靠性，适合多种工业和消费电子领域的应用需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：85mΩ
栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
SE03N2C01HZ 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性，确保长时间工作的可靠性。
5. 较宽的工作温度范围，适应各种环境条件。
6. 提供卓越的电气性能，满足现代电子设备对高效能元件的需求。
SE03N2C01HZ 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. LED 驱动电路。
6. 各种工业控制和汽车电子中的信号处理与驱动部分。
SE03N2C02HZ, SE04N2C01HZ
