SE03N2C01HZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等场景中,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和高密度设计。
SE03N2C01HZ 的设计使其能够承受较高的电压,并在高频工作条件下保持高效的性能表现,同时它也具备良好的热稳定性和可靠性,适合多种工业和消费电子领域的应用需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:85mΩ
栅极电荷:4nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-23
SE03N2C01HZ 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性,确保长时间工作的可靠性。
5. 较宽的工作温度范围,适应各种环境条件。
6. 提供卓越的电气性能,满足现代电子设备对高效能元件的需求。
SE03N2C01HZ 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的负载开关。
5. LED 驱动电路。
6. 各种工业控制和汽车电子中的信号处理与驱动部分。
SE03N2C02HZ, SE04N2C01HZ