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SE03N2C01HZ 发布时间 时间:2025/7/9 18:56:56 查看 阅读:15

SE03N2C01HZ 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等场景中,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和高密度设计。
  SE03N2C01HZ 的设计使其能够承受较高的电压,并在高频工作条件下保持高效的性能表现,同时它也具备良好的热稳定性和可靠性,适合多种工业和消费电子领域的应用需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻:85mΩ
  栅极电荷:4nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

SE03N2C01HZ 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 良好的热稳定性,确保长时间工作的可靠性。
  5. 较宽的工作温度范围,适应各种环境条件。
  6. 提供卓越的电气性能,满足现代电子设备对高效能元件的需求。

应用

SE03N2C01HZ 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的功率开关。
  3. 电池保护电路。
  4. 消费类电子产品中的负载开关。
  5. LED 驱动电路。
  6. 各种工业控制和汽车电子中的信号处理与驱动部分。

替代型号

SE03N2C02HZ, SE04N2C01HZ

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