品牌：Sunlord（顺络电子）
　　型号：SDWL2012C8N2GSTF
　　封装尺寸：2012（2.0mm × 1.2mm）
　　电感值：8.2nH
　　电感公差：±2%
　　自谐振频率（SRF）：典型值约5.6GHz（具体以数据手册为准）
　　额定电流（Isat）：约1.3A（电感下降30%时）
　　直流电阻（DCR）：典型值约95mΩ
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　类别：固定电感器
　　类型：绕线片式电感
　　屏蔽类型：磁屏蔽结构
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端子材质：银/钯/镍或类似贵金属体系
　　包装形式：编带包装，每卷可能为3000pcs或5000pcs

SDWL2012C8N2GSTF具备卓越的高频性能表现，得益于其精密绕线结构与低损耗陶瓷磁芯材料的结合，能够在GHz级别的射频应用中维持高Q值（品质因数），从而显著降低信号传输过程中的能量损耗。这种高Q特性对于提升射频电路的选择性、减少噪声干扰以及提高整体系统效率至关重要。其自谐振频率（SRF）高达数GHz，确保在8.2nH的工作点上仍能保持良好的电感稳定性，避免因接近谐振区而导致的阻抗突变问题。这对于诸如匹配网络、滤波器和振荡回路等高频应用极为关键。
　　该电感器采用全磁屏蔽设计，有效抑制外部磁场泄漏，降低电磁干扰（EMI），同时也提升了对邻近元件的抗扰能力。这一特性使得它非常适合用于高集成度的移动终端设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，在这些设备中空间受限且电磁兼容性要求极高。屏蔽结构还增强了电感值的一致性和温度稳定性，即使在复杂电磁环境中也能保持可靠的电气性能。
　　在功率处理方面，SDWL2012C8N2GSTF展现出优异的饱和电流（Isat）和温升电流（Irms）能力。其低直流电阻（DCR）不仅减少了铜损，提高了电源转换效率，还有助于改善热管理，延长系统寿命。即使在持续大电流负载下，电感值仍能保持稳定，不易发生磁饱和现象。这使其适用于高效率DC-DC变换器中的储能元件或射频功率放大器的扼流应用。
　　机械结构上，该器件采用高强度陶瓷基体和牢固的电极设计，具备良好的抗机械应力和耐热冲击能力。经过严格的回流焊兼容性测试，可适应无铅焊接工艺，满足现代自动化SMT生产线的需求。其端子经过特殊处理，确保良好的可焊性和长期连接可靠性，防止虚焊或脱落。整体结构坚固耐用，适用于宽温、高湿及振动环境下的长期运行。

SDWL2012C8N2GSTF主要应用于高频与高功率密度的电子系统中。在射频领域，常用于手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块和物联网设备中的阻抗匹配网络、LC滤波电路以及天线调谐单元，帮助实现最大功率传输并优化信号完整性。其高Q值和稳定的电感特性有助于提升无线通信的灵敏度和传输距离。
　　在电源管理方面，该电感被广泛用于小型化DC-DC降压或升压转换器中，尤其是在要求高效率和快速瞬态响应的场合，例如处理器供电、FPGA核电源、摄像头模组供电等。由于其小尺寸和高饱和电流能力，能够在有限的空间内实现高效的能量存储与释放。
　　此外，该器件也适用于高速数字电路中的去耦和噪声抑制，作为RF扼流圈使用，隔离射频信号与直流偏置路径，防止高频信号串扰至电源层。其屏蔽结构进一步增强了系统的EMC性能，符合严格的电磁兼容法规要求。
　　工业控制、汽车电子（非动力域）和医疗便携设备中也有应用，特别是在需要微型化、高可靠性和宽温工作的场景下表现出色。无论是消费类电子产品还是工业级设备，SDWL2012C8N2GSTF都能提供稳定、高效的电感解决方案。

SWPA2012S8N2MT