时间:2025/12/28 11:16:59
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SDWL2012C3N3GSTF是一款由Sunlord(顺络电子)生产的高频率、高性能功率电感器,专为现代便携式电子设备和高密度电源管理应用设计。该器件属于SDWL系列,采用先进的多层陶瓷基板技术和金属合金磁性材料,具备出色的电流处理能力、低直流电阻以及优异的抗电磁干扰(EMI)性能。其小型化封装符合当前电子产品对微型化与高效能的需求,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网模块中的DC-DC转换电路。该电感在高频开关电源中表现出良好的稳定性和可靠性,能够有效提升电源效率并降低功耗。此外,产品符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q200认证,适用于对品质要求较高的消费类电子和工业级应用场景。
作为一款一体成型的屏蔽型功率电感,SDWL2012C3N3GSTF具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持电感值的稳定性,减少因温度变化导致的性能漂移。其结构设计优化了磁路闭合路径,显著降低了漏磁通,从而减少了对外部元件的电磁干扰,提升了系统整体的EMC性能。器件表面采用耐腐蚀涂层处理,增强了在复杂环境下的耐用性与长期可靠性。
产品类型:功率电感器
尺寸代码:2012(公制)/ 0805(英制)
电感值:3.3nH
允许偏差:±0.3nH
额定电流(Irms):2.8A(典型)
饱和电流(Isat):3.5A(典型,下降30%)
直流电阻(DCR):38mΩ(最大)
自谐振频率(SRF):≥4.5GHz
工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
存储温度范围:-55℃ ~ +155℃
封装形式:表面贴装(SMD)
磁屏蔽类型:全屏蔽结构
焊接方式:回流焊(兼容无铅工艺)
SDWL2012C3N3GSTF功率电感器的核心优势在于其采用高性能金属合金磁芯材料,这种材料在高频下具有极低的磁滞损耗和涡流损耗,使得电感在高频开关电源环境中依然保持高效的能量传输能力。该材料还具备优异的饱和特性,即使在大电流冲击下也能维持电感值的相对稳定,防止因磁饱和引起的电路异常或效率下降。其全屏蔽结构设计不仅有效抑制了外部电磁干扰,也提高了自身抗干扰能力,适合用于射频前端模块附近的电源滤波和稳压电路中。
该器件的低直流电阻(DCR)是其实现高效率的关键因素之一。较低的DCR意味着更少的能量以热量形式耗散,从而提升了整个电源系统的转换效率,尤其在电池供电设备中,有助于延长续航时间。同时,低发热也有助于提高系统整体的热管理表现,减少散热设计的复杂度。此外,其高达4.5GHz的自谐振频率(SRF)使其能够在GHz级别的高频电路中正常工作,避免因接近谐振点而导致的阻抗突变问题,确保信号完整性与电源稳定性。
从制造工艺上看,SDWL2012C3N3GSTF采用精密薄膜制造技术与光刻工艺相结合的方式,实现了微米级精度的线圈绕制,保证了产品的一致性和良品率。这种工艺还能实现更细密的匝间分布,进一步提升Q值和频率响应特性。器件的端电极采用多层镀膜结构(如Ni/Sn或Ag/Cu等),增强了焊接可靠性和耐久性,适用于自动化贴片生产线。其小型化尺寸(2.0×1.2×1.0mm max)满足了高端移动设备对空间的高度压缩需求,同时不影响电气性能,体现了“小体积、大电流、高频率”的设计理念。
在可靠性方面,该电感通过严格的环境测试,包括高温高湿存储、温度循环、机械振动和冲击测试,确保在恶劣工况下长期稳定运行。其工作温度范围宽达-55℃至+125℃,可在极端气候条件下保持性能不变,适用于车载电子、工业控制等多种严苛应用场合。此外,产品符合国际环保标准,不含铅、镉等有害物质,支持绿色制造和可持续发展。
SDWL2012C3N3GSTF广泛应用于各类高频开关电源系统中,尤其是在需要高效率、小体积和良好EMI性能的场景下表现突出。典型应用包括智能手机、平板电脑和智能手表等便携式设备中的PMU(电源管理单元)输出滤波电感;也可用于射频功率放大器(PA)模块的偏置电源去耦和DC-DC降压电路中,提供稳定的供电路径。
在无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、5G射频前端)中,该电感常被用作匹配网络和滤波电路的一部分,利用其高频特性和低损耗优势来提升信号质量与传输效率。此外,在FPGA、ASIC、SoC等高速数字芯片的核电压(Vcore)供电路径中,它可用于构建多相 buck 转换器的储能元件,帮助平滑输出电压纹波,提高动态响应速度。
其他应用场景还包括TDD-LTE/LTE-A射频开关的供电滤波、摄像头模组电源滤波、LED背光驱动电路以及小型化物联网节点设备的电源管理系统。由于其具备良好的瞬态响应能力和抗饱和特性,也适用于负载变化频繁的脉冲供电系统。在汽车电子领域,可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块的低压电源滤波环节,满足车规级可靠性要求。
SDWL2012C3N3GITF
MLG2012S3N3BT000
DLW21HN3N3SQ2L