制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：SDV
　　电容：10μF
　　额定电压：6.3V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R（-55°C to +85°C, ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　外壳尺寸：0805（英制）/ 2012（公制）
　　外壳高度：≤1.25mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn）
　　包装类型：卷带（Tape and Reel）
　　包装数量：典型为4000pcs/reel
　　老化率：约2.5%每十年（+25°C）
　　直流偏压特性：随电压增加电容下降，典型在6.3V下保持约60~70%标称值
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率依赖）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约为0.4nH

SDVL8063KA151PT具有出色的电容稳定性与温度适应能力，得益于其X5R介质材料配方，在-55°C到+85°C的宽温度区间内能维持电容值的变化在±15%以内，这对于确保电源系统的稳定性至关重要。特别是在低温环境下，许多普通Y5V或Z5U材质的电容器会出现显著的容量衰减，而X5R材料则表现更为稳健，使其成为工业控制、汽车电子外围及消费类电子产品中的优选方案。
　　该电容器采用多层叠层结构设计，通过精密印刷技术和高温共烧工艺实现高体积效率，在仅有2.0mm × 1.25mm × 1.25mm的小型化封装中集成高达10μF的电容值，满足现代电子设备对空间节约的严苛要求。同时，其内部电极采用薄层贵金属（如镍）与陶瓷介质交替堆叠，有效降低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而提升高频去耦性能，抑制电源噪声，增强系统抗干扰能力。
　　在实际应用中，该器件表现出良好的直流偏压特性。虽然随着施加电压接近额定值时电容会有所下降（通常在6.3V偏压下保留约60%-70%标称容量），但相较于同类产品仍处于较优水平。这一特性使得设计人员在进行电源轨滤波时需结合实际工作电压评估有效电容，以确保滤波效果达标。
　　终端电极为双层金属化结构，底层为镍阻挡层，外层为锡覆盖，提供优良的焊接可靠性与耐腐蚀性，兼容无铅回流焊工艺，并可在多次热循环后保持稳定的电气连接。此外，该器件经过严格的老化测试与寿命验证，长期使用条件下电容退化缓慢，具备较高的长期可靠性。
　　机械结构方面，SDVL8063KA151PT优化了芯片边缘轮廓与内电极布局，增强了抗板弯和热冲击的能力，降低了贴装后因PCB弯曲或温度突变引发开裂的风险，特别适用于手持设备等易受机械应力影响的应用场景。

SDVL8063KA151PT广泛应用于各类需要高效电源去耦与信号滤波的电子设备中。在移动通信领域，常用于智能手机和平板电脑的处理器核心供电网络（Core Power Rail）去耦，配合其他小容值电容构成多级滤波网络，有效滤除开关电源产生的高频噪声，保障CPU/GPU稳定运行。
　　在便携式消费电子产品如智能手表、无线耳机、运动相机等设备中，因其小尺寸和高容值特性，被大量用于DC-DC转换器输出端的平滑滤波，帮助维持输出电压的稳定性，提高电源效率并减少纹波。
　　此外，该器件也常见于各种嵌入式系统主板、物联网模块（IoT Modules）、Wi-Fi/BT模组的电源管理单元中，作为局部储能元件和瞬态响应补偿器件，应对负载突变带来的电压波动。
　　在工业控制与汽车电子辅助系统（非引擎舱）中，该电容器可用于MCU、传感器接口、显示驱动等低压电源线路的滤波，提供可靠的电能支持。尽管其额定电压较低（6.3V），不适用于高压系统，但在3.3V、2.5V、1.8V甚至更低电压的数字电路供电路径中表现优异。
　　由于其符合AEC-Q200标准的部分应力测试条件（具体需查阅最新规格书确认），部分工业与车载应用也会选用该型号，尤其是在注重成本与空间利用率的设计中。

GRM21BR61C106KE19L
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