制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：3225（3.2mm x 2.5mm）
　　电容：7.5μF
　　额定电压：6.3V DC
　　电介质材料：X5R 或 X7R（依据具体批次或规格书）
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（X5R），部分可达 +125°C（X7R）
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%（X5R），ΔC/C ≤ ±20%（X7R）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降，需参考具体DC偏压曲线
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于 10mΩ（频率相关）
　　等效串联电感（ESL）：极低，适合高频去耦
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：≤2.5% / decade hour（典型）
　　包装形式：卷带编装，适用于自动贴片机

SDVL3225SD750PT 具备高电容密度，在3225的小型封装内实现了7.5μF的电容值，这得益于三星先进的叠层陶瓷制造工艺和高介电常数材料的应用。这种高容量小型化设计特别适用于移动设备、平板电脑和超薄笔记本电脑中的电源轨去耦，能够在有限的PCB空间内提供足够的储能能力。该电容器采用镍阻挡层端子结构（Ni-barrier termination），提高了抗硫化能力，增强了在恶劣环境下的可靠性，尤其适合工业控制、汽车电子外围电路等可能存在硫污染的应用场景。
　　其使用的X5R或X7R陶瓷介质确保了在宽温度范围内电容值的稳定性。例如，在-40°C到+85°C的工作温度区间内，X5R材质可保持电容变化不超过±15%，而X7R则扩展至-40°C到+125°C，变化控制在±20%以内。这对于需要长期稳定运行的系统至关重要。此外，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频噪声滤波和瞬态电流响应方面表现优异，能有效抑制开关电源产生的纹波噪声。
　　另一个关键特性是其良好的直流偏压性能。尽管所有高介电常数陶瓷电容都会在施加直流电压时出现电容下降现象，但SDVL3225SD750PT通过优化内部电极结构和介质配方，减缓了这一效应。实际应用中，即使在接近额定电压6.3V的情况下，仍能保留较高比例的有效电容，确保去耦效果不显著衰减。同时，该器件符合AEC-Q200标准（如用于汽车级版本），具备良好的机械强度和热循环耐受性，能够承受回流焊过程中的高温冲击而不损坏。

SDVL3225SD750PT 广泛应用于各类需要高性能去耦和滤波功能的电子设备中。常见用途包括智能手机、平板电脑和其他便携式消费电子产品中的CPU、GPU、内存模块供电路径上的旁路电容，用于平抑瞬态电流波动并降低电源噪声。在电源管理系统中，它常被放置于DC-DC转换器输出端，配合电感构成LC滤波网络，有效减少输出电压纹波，提高电源质量。
　　此外，该器件也适用于工业自动化控制器、网络通信设备（如路由器、交换机）、医疗仪器以及汽车信息娱乐系统等对可靠性和稳定性要求较高的领域。在这些应用中，多个SDVL3225SD750PT可以并联使用，以进一步提升总去耦电容值和电流供给能力。由于其具备一定的抗硫化能力，因此也可部署在含有硫化气体的工业环境中，避免因端子腐蚀导致的开路失效。在射频模块和传感器供电电路中，该电容还承担高频噪声旁路任务，保障敏感模拟电路的正常工作。
　　随着电子产品向轻薄化、高集成度发展，传统电解电容和钽电容因体积和安全问题逐渐被MLCC替代。SDVL3225SD750PT 正是在这一趋势下推出的代表性高容值陶瓷电容，填补了小尺寸封装中微法级电容的市场空白，成为现代高密度PCB布局中的关键元件之一。

GRM32ER7EA756ME12L
　　CL32E756MCJNPNC
　　C3225X5R0J756M25T